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K4S1G0632M-TC75
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4S1G0632M-TC75 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4S1G0632M-TC75
存储器结构:256Mx4
速度:5.4ns
电源电压:3.3V
包装:TSOP-II
环保标准:
K4S1G0632M-TC75
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K9F4G08UOM-PCBO
SPHWHAHDND27YZU2D3
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