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K4S281632C-TC1H
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4S281632C-TC1H 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4S281632C-TC1H
存储器结构:8Mx16
速度:6ns
电源电压:3.3V
包装:TSOP-II
环保标准:
K4S281632C-TC1H
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RC1005F2610CS
SPHWHAHDND25YZQ3H6
SI-B8U11156CWW
K6R4016C1D-TI10000
CIL21Y8R2KNE
SPHWHAHDNF27YZU2D2
CIGT201610EH2R2MNE
RC3216J162CS
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