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产品参考图片
K4S281632D-TC1H
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
K4S281632D-TC1H 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4S281632D-TC1H
存储器结构:8Mx16
速度:6ns
电源电压:3.3V
包装:TSOP-II
环保标准:
K4S281632D-TC1H
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
CL10C030BB8NNND
SI-B8R071280LD
RC1608F4323CS
RC3216F49R9CS
SPHWHAHDNL251ZQ3DB
K9F1G08U0B-PCB0T00
SPHCW1HDN825YHQTEE
CL05A474KP5NNNC
RC2012F1693CS
SPHWHAHDNL271ZU3D3
SI-B8R14156LWW
K4S161622H-UC60T00
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