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K4S283232E-TC75
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4S283232E-TC75 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4S283232E-TC75
存储器结构:4Mx32
速度:6ns
电源电压:3.3V
包装:TSOP-II
环保标准:
K4S283232E-TC75
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RC1005F2052CS
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SPHWW1HDNB25YHW2B3
CL31B102KBCNNNC
K4T1G164QG-BCF8
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DV1CHIP-LF
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