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K4S283233F-MN75
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4S283233F-MN75 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4S283233F-MN75
存储器结构:4Mx32
速度:6|5.5ns
电源电压:3V
包装:FBGA
环保标准:
K4S283233F-MN75
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RC3216J131CS
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CL05C3R5CB5NNNC
CL10C150JB81PNC
K4S280832C-TL
CL21A475KPFNNNE
CL05C331JB5NFNC
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