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K4S511632M-TC75
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4S511632M-TC75 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4S511632M-TC75
存储器结构:32Mx16
速度:5.4ns
电源电压:3.3V
包装:TSOP-II
环保标准:
K4S511632M-TC75
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SPHWHAHDNF27YZV3J0
K4E160811C-BC50
CL31B105KOFNNNF
CL02B331KP2NNNC
LWT13610
CL05C9R1CB5NNNC
RC0603J562CS
SPHCW1HDNC25YHR32F
CL32B475KBJNFNE
K5W1212ACM-DK75
K9HCG08U5M-PCB0
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