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K4S560832B-TCL10001C
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4S560832B-TCL10001C 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4S560832B-TCL10001C
存储器结构:
速度:
电源电压:
包装:
环保标准:
K4S560832B-TCL10001C
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
K4S561632D-TL75
SPHWW1HDNB25YHV2B3
RC1608J824CS
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