K4S641632E-TC1H（三星半导体） - 国内专业的芯片采购平台

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K4S641632E-TC1H

制造厂商：三星半导体
类别封装：DRAM存储器IC，出厂封装
技术参数：0
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K4S641632E-TC1H 技术参数详情：

三星半导体完整型号：K4S641632E-TC1H
存储器结构：4Mx16
速度：6ns
电源电压：3.3V
包装：TSOP-II
环保标准：
K4S641632E-TC1H优势代理货源，国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。

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