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K4S641632E-TC75
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4S641632E-TC75 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4S641632E-TC75
存储器结构:4Mx16
速度:6|5.4ns
电源电压:3.3V
包装:TSOP-II
环保标准:
K4S641632E-TC75
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SPHWHTL3D303E6QTJ4
K6R4016V1C-JC15
RC1608F2374CS
CIGT252007LM1R0MNC
RUW3216FR100CS
KM44C4000CK-6
SPHWHAHDNF27YZW3D2
SPHWHAHDNF27YZV2DB
SPMWHT327FD5GBT0S0
CL32A106KAJNNNE
K4S510832B-TC75000
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