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K4S641632H-TC1H000
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4S641632H-TC1H000 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4S641632H-TC1H000
存储器结构:4Mx16
速度:
电源电压:3.3V
包装:TSOP-II
环保标准:不符合RoHS标准
K4S641632H-TC1H000
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SPHWH2HDNC07YHW2C1
K4F640412D-JC50
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