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产品参考图片
K4S641632N-LI60000
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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K4S641632N-LI60000 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4S641632N-LI60000
存储器结构:
速度:
电源电压:
包装:
环保标准:
K4S641632N-LI60000
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KM416V1200CJ-L4
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