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K4S643233H-HN75
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4S643233H-HN75 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4S643233H-HN75
存储器结构:2Mx32
速度:7|6ns
电源电压:3V
包装:FBGA
环保标准:
K4S643233H-HN75
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RC1005F5R6CS
SPHWHAHDNA25YZU2D3
CL21B223KBANNNC
RC1608J301CS
RC1608F302CS
RC1608F1651CS
CL10C103JA8NNNC
KM44C4000CK-L6
CL10C102JB8NNWC
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