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- 制造厂商：三星半导体
- 类别封装：双倍数据率同步动态随机存储器，84FBGA
- 技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
- 丰富的三星半导体公司产品，三星半导体芯片采购平台
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K4T1G163QJ-BI 技术参数详情：
- 三星芯片型号：K4T1G163QJ-BI
- 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能类别：双倍数据率同步动态随机存储器
- 容量：1Gb
- 架构：64M x 16
- 速率：1066 Mbps
- 工作电压：1.8 V
- 工作温度：-40 ~ 95 °C
- 封装：84FBGA
- 产品状态：批量生产
- K4T1G163QJ-BI优势代理货源，国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
