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K4T51163QG-HCE7
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4T51163QG-HCE7 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4T51163QG-HCE7
存储器结构:32Mx16
速度:0.4ns
电源电压:1.8V
包装:FBGA
环保标准:
K4T51163QG-HCE7
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CL32B154KBFNNNE
RC2012F2051CS
CL21B332KB65PNC
CIM31J151NE
KM29N32000T
KMR310008M-A611
CL31B223JBCNNNC
RC1005F60R4CS
K4H510838C-UCLCC
K4M51163LE-YL1L
RC0603F822CS
K4D26323QG-6C33
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