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K4T51163QI-HCE6000
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K4T51163QI-HCE6000 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K4T51163QI-HCE6000
存储器结构:32Mx16
速度:0.45ns
电源电压:1.8V
包装:FBGA
环保标准:符合RoHS标准
K4T51163QI-HCE6000
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CL03A473KQ3NNNH
KLMAG2GESD-B04Q
RC2012F1433CS
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