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K4U2E3S4AA-GUCL 图片
  • 制造厂商:三星半导体
  • 类别封装:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器,200FBGA
  • 技术参数:SAMSUNG DRAM NAND
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K4U2E3S4AA-GUCL 技术参数详情:
  • 三星芯片型号:K4U2E3S4AA-GUCL
  • 制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
  • 功能类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量:12Gb
  • 架构:x32
  • 速率:4266 Mbps
  • 工作电压:1.8 / 1.1 / 0.6 V
  • 工作温度:-40 ~ 125 °C
  • 封装:200FBGA
  • 产品状态:批量生产
  • K4U2E3S4AA-GUCL优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
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