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K6R1008V1C-TI12
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6R1008V1C-TI12 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6R1008V1C-TI12
存储器结构:1M×8
速度:120ns
电源电压:3.3V
包装:TSOP
环保标准:
K6R1008V1C-TI12
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KMRNW0001M-B509
CIH03T3N6CNC
KM62256CLTG-7L
SPHWHAHDNE2VYZVVD2
RC2012J245CS
CL31C470JBCNNNC
K4S280832I-UC75
SPHWHAHDNC25YZV2D2
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