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K6R1008V1D-JC10
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6R1008V1D-JC10 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6R1008V1D-JC10
存储器结构:1M×8
速度:10
电源电压:3.3V
包装:SOJ
环保标准:
K6R1008V1D-JC10
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K4D6262323HA-QC60
SI-B8T112250WW
CL31B105KOFNNNF
RC2012F6340CS
CL02B331KP2NNNC
K5R2G1GACM-DK75
K9K4G08UOA-PIBO
SPHCW1HDNC25YHR32F
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K5W1212ACM-DK75
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