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K6R1008V1D-JC10000
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6R1008V1D-JC10000 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6R1008V1D-JC10000
存储器结构:1M×8
速度:100ns
电源电压:
包装:SOJ
环保标准:
K6R1008V1D-JC10000
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
CL31B104MBCNNNC
SPMWHT541MD5WAUMS1
KM681001BSJ-15
RC0603F133CS
SPMWHT541MD5WARKS3
K4E170412D-FC60
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CL31B684KAHNNNE
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