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K6R4008C1C-TC12
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6R4008C1C-TC12 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6R4008C1C-TC12
存储器结构:40M×8
速度:120ns
电源电压:5V
包装:TSOP
环保标准:
K6R4008C1C-TC12
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CIM03U601NC
SPHWHTL3D307E6WUF5
RC1005F1742CS
CIM03U800NC
CIL10NR39KNC
SPHWW1HDNE27YHT2B3
RC1608F115CS
SPMWHT541MD5WAQMS2
CL10B122KB8NNND
KMDV6001DM-B620
K4T1G084QJ
SPMWHT541MD5WAU0S3
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