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K6R4008C1D-TI10
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6R4008C1D-TI10 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6R4008C1D-TI10
存储器结构:40M×8
速度:100ns
电源电压:5V
包装:TSOP
环保标准:
K6R4008C1D-TI10
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RC1005F3920CS
K6T4008C1B-GP70
RC3216J185CS
S3C2410X01
SPHWHAHDNA27YZW3D2
SA58450X01
RP102PJ104CS
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