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K6R4008V1D-KI10000
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6R4008V1D-KI10000 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6R4008V1D-KI10000
存储器结构:
速度:10ns
电源电压:3.3V
包装:SOJ
环保标准:
K6R4008V1D-KI10000
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
M471B5674QH0-YK000
CIGW252010GL1R5MNE
K6R1008V1D-JC10T00
CL10C102JB8NNNL
K6T4016U3C-TF5
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