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K6R4008V1D-TC10
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6R4008V1D-TC10 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6R4008V1D-TC10
存储器结构:40M×8
速度:100ns
电源电压:3.3V
包装:TSOP
环保标准:
K6R4008V1D-TC10
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RC2012J6R8CS
CL03C5R6CA3GNNH
KLMBG4GEND-B041
RC2012J5R1CS
CL31C680KHFNNNF
SPHWHAHDNH27YZT3C2
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