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K6R4016C1D-JC12
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6R4016C1D-JC12 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6R4016C1D-JC12
存储器结构:40M×16
速度:120ns
电源电压:
包装:SOJ
环保标准:
K6R4016C1D-JC12
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
CIM05J152NC
CL31A106KQCLNNC
CL31A475KPHNNNE
K7A403600M-QC16
RC0603F133CS
CL32B226MQJNNNE
CL10B472JB8NNND
RC3216J111CS
RC2012F5232CS
SPHWHAHDNL271ZV2D2
SPHWH2L3D30CD4PTJ3
KLMAG2GESD-B03Q
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