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K6R4016V1D-TC08
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6R4016V1D-TC08 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6R4016V1D-TC08
存储器结构:40M×16
速度:8ns
电源电压:5V
包装:TSOP
环保标准:
K6R4016V1D-TC08
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
CIC31P471NE
CL05C101KB5NNNC
RC1005F6043CS
SPHWHAHDNG25YZT3D3
RC1608F685CS
CL21B181KBANNNC
CL21C100CBANNNC
SPHWHTL3D303E6RTM2
RC1005F1403CS
SPMWHT541MD5WAT0S2
CL31C101JHFNNNE
SPHWHAHDNE25YZT2DB
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