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K6R4016V1D-TC10000
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6R4016V1D-TC10000 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6R4016V1D-TC10000
存储器结构:40M×16
速度:10
电源电压:3.3V
包装:TSOP
环保标准:
K6R4016V1D-TC10000
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
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K9F5608Q0B
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