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K6T0808C1D-TL55
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6T0808C1D-TL55 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6T0808C1D-TL55
存储器结构:1M×8
速度:55ns
电源电压:5V
包装:TSOP
环保标准:
K6T0808C1D-TL55
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RC0603J150CS
SPHWH2L3D30ED4TMJ3
SPHWHAHDNK27YZT3D2
RC2012F37R4CS
K4B1G1646I-BHMA
CIC31P330NE
CL10B473KB8NNND
CL21B474KAFNNNG
RC1005J331CS
SI-B8T09628001
CL31C103JAFNNNE
K6F1616T6B-TF55
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