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K6T1008C2CGB70
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6T1008C2CGB70 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6T1008C2CGB70
存储器结构:1M×8
速度:70ns
电源电压:
包装:SOP
环保标准:
K6T1008C2CGB70
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
K6X8016C3B-TF70
K4S281632F-TI75T00
RC2012F3922CS
CL05A474KQ5NNND
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SPHWHAHDNK27YZT3M5
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