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K6T1008C2E-DL55
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6T1008C2E-DL55 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6T1008C2E-DL55
存储器结构:1M×8
速度:55ns
电源电压:5V
包装:DIP
环保标准:
K6T1008C2E-DL55
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SPHWHAHDNL251ZW3DB
SPHWW1HDNA27YHW31F
RC1005F8252CS
KMRX60014M-B614
SPMWHT541MD5WAP0S1
K4F171612DTL6000
KLMAG4FEJA-A001
K4A4G165WE-BITD
RC2012J133CS
RC1005J135CS
K4S640832H-UC75
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