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K6T1008C2E-GB70000
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6T1008C2E-GB70000 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6T1008C2E-GB70000
存储器结构:1M×8
速度:70ns
电源电压:5V
包装:SOP
环保标准:
K6T1008C2E-GB70000
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
SPHWHAHDNL271ZT2D3
K9LBG08U1D-LCBO
K6R4016C1D-UI10T00
RC3216J110CS
S3C2410A-20-Y080
RC3216F565CS
SPHWW1HDNA25YHW31F
SPHWHAHDNL251ZR3Q7
CIL10N47NKNC
SPHWHAHDNF25YZT2D1
RC1608J123CS
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