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K6T1008C2E-GB70T
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6T1008C2E-GB70T 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6T1008C2E-GB70T
存储器结构:
速度:
电源电压:
包装:
环保标准:
K6T1008C2E-GB70T
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SPHWW1HDN827YHV2CF
SPHWHAHDNF27YZU3J1
CIC05P121NC
CIGT201208UM1R0MNE
CL32A106KOCLNNF
CL21B105KOFNNNG
RC1005J1R3CS
K524G2GACG-B050
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K7N161801A-QC13000
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