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产品参考图片
K6T1008C2E-RB55
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6T1008C2E-RB55 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6T1008C2E-RB55
存储器结构:1M×8
速度:55ns
电源电压:5V
包装:TSOP
环保标准:
K6T1008C2E-RB55
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M393A8K40B2B-CTC
RP164PJ330CS
K4E660812C-TC60
K6X1008C1D-TF55
CL05B561JB5NNNC
CL10C471JB81PNL
K4E660812B-JC50
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RC1005F56R2CS
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