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K6T1008C2E-RF70
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6T1008C2E-RF70 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6T1008C2E-RF70
存储器结构:1M×8
速度:70ns
电源电压:5V
包装:TSOP
环保标准:
K6T1008C2E-RF70
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
SI-B8V201B20US
CIM21J121NE
K9F5608U0D-PCB0000
CL31B222KIFNNNE
CL31B682KGFNNNE
K6T1008C2E-TB55
K4T56163QI-ZCCC
K4E640411B-TC50
RC3216F561CS
CL10C9R1DB8NNNC
RC1608J365CS
CL10B273KB8SFNC
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