首页
关于我们
品牌中心
热门产品
产品应用
行业新闻
联系我们
热门关注品牌:
XP Power
MCC
Wolfson(欧胜微)
Qorvo
XMOS
产品参考图片
K6T1008V2E-GB70
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
丰富的三星半导体公司产品,三星半导体芯片采购平台
提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
K6T1008V2E-GB70 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6T1008V2E-GB70
存储器结构:1M×8
速度:70ns
电源电压:3.3V
包装:SOP
环保标准:
K6T1008V2E-GB70
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
K4E640812D-TL60
SPHWHAHDNG27YZT3J8
SI-B8U061280WW
K4E171612C-JI50
CL32C223JBHNNNE
SI-B8U52256CUS
K4F164011D-BC60
K9G4G08U0M-PCB0
CL05A225MA5NUNC
CL21C221JDCNNNC
K4H560438J-LCB3
RC1005F2372CS
芯片采购网
专注整合国内外授权
Samsung代理
的现货资源,轻松采购IC芯片,是国内专业的芯片采购平台