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K6T1008V2E-GB70000
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6T1008V2E-GB70000 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6T1008V2E-GB70000
存储器结构:1M×8
速度:70ns
电源电压:3.3V
包装:SOP
环保标准:
K6T1008V2E-GB70000
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