K6T1008V2E-TB7000（三星半导体） - 国内专业的芯片采购平台

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K6T1008V2E-TB7000

制造厂商：三星半导体
类别封装：SRAM存储器IC，出厂封装
技术参数：0
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K6T1008V2E-TB7000 技术参数详情：

三星半导体完整型号：K6T1008V2E-TB7000
存储器结构：1M×8
速度：70ns
电源电压：3.3V
包装：TSOP
环保标准：
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