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K6T4008V1C-VB70
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6T4008V1C-VB70 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6T4008V1C-VB70
存储器结构:40M×8
速度:70ns
电源电压:3.3V
包装:TSOP
环保标准:
K6T4008V1C-VB70
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KM44C4105CK-5
CL05C240JB5NCNC
K6R4008C1D-KI10
CIH05T3N9CNC
CL21B222KBANCNC
CL31B474KBHNNNE
SL-P7R2E31MZWW
RC1608J330CS
RC1608F750CS
K4S563233F-FN1H
SPMWHT327FD5GBWMS3
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