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K6X1008C2D-GB70
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6X1008C2D-GB70 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6X1008C2D-GB70
存储器结构:1M×8
速度:70ns
电源电压:5V
包装:SOP
环保标准:
K6X1008C2D-GB70
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SPMWHT221MD5WAVMS0
KMR4Z0001A-B803
K4T1G164QF-BCF8
CL10F823ZB8NNNC
K4B8G0846D-BCMA
CL21C331JBANFNC
RC2012F8661CS
CL32X476KPJNNNE
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CL10C222JB8NFNC
SPHWHTL3D305E6WUG4
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