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K6X4008T1F-GF7000
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
K6X4008T1F-GF7000 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6X4008T1F-GF7000
存储器结构:40M×8
速度:70ns
电源电压:
包装:SOP
环保标准:
K6X4008T1F-GF7000
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
K6T4008C1B-GL55
SI-N8A1016E0WW
K4H561638J-HLB3
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