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KM416V1200CJ-L6
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
DRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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点击下图下载技术文档
KM416V1200CJ-L6 技术参数详情:
三星半导体完整型号:KM416V1200CJ-L6
存储器结构:
速度:
电源电压:
包装:
环保标准:
KM416V1200CJ-L6
优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
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SPHWHAHDNG25YZW3K0
CL10B103KB8NNND
K6T4008C1B-DB70000
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