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- 制造厂商:三星半导体
- 类别封装:多制层封装芯片,254FBGA
- 技术参数:SAMSUNG DRAM NAND
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KMDD60018M-B320 技术参数详情:
- 三星芯片型号:KMDD60018M-B320
- 制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
- 功能类别:多制层封装芯片
- eStorage 密度:32 GB
- eStorage 版本:嵌入式多媒体卡 5.1
- DRAM 密度:24 Gb
- DRAM 类型:四代超低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
- 封装:254FBGA
- 速率:3733 Mbps
- 产品状态:批量生产
- KMDD60018M-B320优势代理货源,国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
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