产品参考图片
- 制造厂商：三星半导体
- 类别封装：多制层封装芯片，221FBGA
- 技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
- 丰富的三星半导体公司产品，三星半导体芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
KMGD6001BM-B421 技术参数详情：
- 三星芯片型号：KMGD6001BM-B421
- 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能类别：多制层封装芯片
- eStorage 密度：32 GB
- eStorage 版本：嵌入式多媒体卡 5.1
- DRAM 密度：24 Gb
- DRAM 类型：三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
- 封装：221FBGA
- 速率：1866 Mbps
- 产品状态：批量生产
- KMGD6001BM-B421优势代理货源，国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
