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- 制造厂商：三星半导体
- 类别封装：多制层封装芯片，221FBGA
- 技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
- 丰富的三星半导体公司产品，三星半导体芯片采购平台
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KMRD60014M-B512 技术参数详情：
- 三星芯片型号：KMRD60014M-B512
- 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能类别：多制层封装芯片
- eStorage 密度：32 GB
- eStorage 版本：嵌入式多媒体卡 5.1
- DRAM 密度：32 Gb
- DRAM 类型：三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
- 封装：221FBGA
- 速率：1866 Mbps
- 产品状态：批量生产
- KMRD60014M-B512优势代理货源，国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
