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- 制造厂商：三星半导体
- 类别封装：电源IC芯片，QFN（40 针），0.5mm 间距
- 技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
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S2DST11 技术参数详情：
- 三星芯片型号：S2DST11
- 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能类别：电源集成电路
- 电压范围：9.5V ~ 14.7V
- 降压：-
- 升降压：1
- 升压：1
- LDO：1
- 尺寸：6.00 X 6.00
- 封装：QFN（40 针），0.5mm 间距
- S2DST11优势代理货源，国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
