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S5M8767
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
电源IC芯片,WLCSP(144 珠),0.4mm 间距
技术参数:
SAMSUNG DRAM NAND
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点击下图下载技术文档
S5M8767 技术参数详情:
三星芯片型号:S5M8767
制造商:三星半导体(SAMSUNG Semiconductor)
功能类别:电源集成电路
电压范围:2.7V ~ 5.0V
降压:9
升降压:
升压:
LDO:28
尺寸:5.0x5.0
封装:WLCSP(144 珠),0.4mm 间距
S5M8767
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