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- 制造厂商：Sanken
- 类别封装：单端场效应管，8-DFN
- 技术参数：MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN
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GKI06109 技术参数详情：
- Sanken公司完整型号：GKI06109
- 制造厂家名称：Sanken
- 描述：MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
- 漏源极电压 (Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.9 毫欧 @ 23.6A， 10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 650?A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38.6nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2520pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：8-DFN（5x6）
- GKI06109优势代理货源，国内领先的Sanken芯片采购服务平台。
