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- 制造厂商：Silicon Labs
- 类别封装：隔离器 - 栅极驱动器，封装：14-VDFN
- 技术参数：4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
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SI8275BBD-IM1R 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SI8275BBD-IM1R
- 制造商：Silicon Labs
- 描述：4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
- 系列：隔离器 - 栅极驱动器
- 产品系列：Automotive, AEC-Q100
- 零件状态：有源
- 技术：容性耦合
- 通道数：2
- 电压-隔离：2500Vrms
- 共模瞬变抗扰度（最小值）：200kV/μs
- 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）：75ns，75ns
- 脉宽失真（最大）：8ns
- 上升/下降时间（典型值）：10.5ns，13.3ns
- 电流-输出高、低：1.8A，4A
- 电流-峰值输出：4A
- 电压-正向(Vf)（典型值）：-
- 电流-DC正向(If)（最大值）：-
- 电压-?输出供电：4.2V ~ 30V
- 工作温度：-40°C ~ 125°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：14-VDFN
- 供应商器件封装：14-QFN（5x5）
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