- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSONP(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
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CSD16408Q5 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD16408Q5
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):22A(Ta),113A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.5 毫欧 @ 25A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.9nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):+16V,-12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1300pF @ 12.5V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-VSONP(5x6)
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