- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
- 丰富的TI公司产品,TI芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格
CSD17308Q3T 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD17308Q3T
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):14A(Ta),44A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):3V,8V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10.3 毫欧 @ 10A,8V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.1nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):+10V,-8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):700pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.7W(Ta),28W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
- CSD17308Q3T优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。