- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:DDPAK/TO-263-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
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CSD19536KTT 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD19536KTT
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):200A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.4 毫欧 @ 100A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):153nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):12000pF @ 50V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):375W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:DDPAK/TO-263-3
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